Вредное влияние статического электричества
Вредное воздействие статического электричества на электроническую промышленность в основном проявляется следующими тремя способами: адсорбция пыли, электростатический разряд и электростатическая индукция.
(1) Пылевая адсорбция
Электростатический эффект адсорбции на пыль от нескольких до десятков микрон очевиден. Пыль оказывает большое влияние на производство микроэлектроники. В современной производстве микроэлектроники ширина линии чипа достигла 0. 1 микрон. Частица пыли с диаметром нескольких микрон, адсорбированных на чипе, может уменьшить прочность на изоляцию между более чем дюжиной проводов ядра, вызывая короткое замыкание и повреждение чипа.
(2) Электростатический разряд (ESD)
Электростатический разряд может привести к расщеплению диэлектрика интегрированной цепной чипы, провод ядра для предохранителя, тока утечки для увеличения и ускорения старения и параметров электрической производительности для изменения. Электростатический разряд может повредить чип и медленный сбой, что более вредно.
(3) Электростатическая индукция
Электростатическая индукция не только оказывает вредное воздействие электростатического разряда, но также может привести к переворачиванию компьютера и цифровых цепей низкого уровня из-за широкополосных помех, которые он производит, или привести к неисправности прибора (счетчика).